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MJD50G PDF预览

MJD50G

更新时间： 2024-09-15 10:55:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关PC
页数 文件大小 规格书
5页 110K
描述
High Voltage Power Transistors

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MJD50G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.45Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：225699
Samacsys Pin Count：4Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)Samacsys Footprint Name：DPAK (SINGLE GAUGE) CASE369C
Samacsys Released Date：2016-01-25 14:39:57Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：10JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：10 MHzBase Number Matches：1

MJD50G 数据手册

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MJD47, MJD50  
High Voltage Power  
Transistors  
DPAK For Surface Mount Applications  
Designed for line operated audio output amplifier,  
SWITCHMODEt power supply drivers and other switching  
applications.  
http://onsemi.com  
Features  
NPN SILICON POWER  
TRANSISTORS  
1 AMPERE  
250, 400 VOLTS, 15 WATTS  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
• Electrically Similar to Popular TIP47, and TIP50  
• 250 and 400 V (Min) − V  
CEO(sus)  
• 1 A Rated Collector Current  
4
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in  
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B u 8000 V  
2
1
Machine Model, C u 400 V  
3
• These are Pb−Free Packages  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 1  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
MJD47  
MJD50  
250  
400  
MARKING DIAGRAM  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
Vdc  
CB  
AYWW  
JxxG  
MJD47  
MJD50  
350  
500  
V
5
Vdc  
Adc  
EB  
I
1
2
Collector Current − Continuous  
− Peak  
C
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
WW = Work Week  
Jxx = Device Code  
xx = 47 or 50  
Base Current  
I
0.6  
mAdc  
W
B
Total Power Dissipation  
P
D
15  
0.12  
@ T = 25°C  
C
G
= Pb−Free Package  
W/°C  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation (Note 1)  
P
W
D
1.56  
@ T = 25°C  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
0.0125  
Derate above 25°C  
W/°C  
°C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +150  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
8.33  
80  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance Junction−to−Case  
R
q
JC  
Thermal Resistance Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
(Note 1)  
Lead Temperature for Soldering Purpose  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad  
sizes recommended.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
January, 2011 − Rev. 10  
MJD47/D  
 
12345

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MJD50G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NJVMJD50T4G ONSEMI

完全替代

 High Voltage Power Transistors
MJD50TF ONSEMI

完全替代

 1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD50 ONSEMI

完全替代

 NPN SILICON POWER TRANSISTORS

与MJD50G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJD50I FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
MJD50RLG ONSEMI

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 		1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor
MJD50T4 MOTOROLA

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 		NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50T4 ONSEMI

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MJD50T4G ONSEMI

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 		1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD50TF FAIRCHILD

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 		暂无描述
MJD50TF JSMC

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 		DPAK
MJD5731 ONSEMI

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MJD5731 MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,

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