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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A | 基于收集器的最大容量： | 0.25 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 4.3 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | C BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NESG3031M05-T1-A-FB | RENESAS | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| NESG3031M05-T1FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN |
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| NESG3031M05-T1FB-A | NEC | 暂无描述 |
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| NESG3031M14 | NEC | NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR |
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| NESG3031M14 | CEL | NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NESG3031M14-A | CEL | NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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