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NESG3031M14-FB-A

更新时间： 2024-01-28 12:24:44

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, LEADLESS MINIMOLD, M14, 4 PIN

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NESG3031M14-FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.25 pF	集电极-发射极最大电压：	4.3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	Base Number Matches：	1

NESG3031M14-FB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NEC's NPN SiGe

HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

NESG3031M14

FEATURES

•

LOW NOISE FIGURE AND HIGH-GAIN

NF= 0.95 dB TYP, Ga = 10 dB TYP @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz

NF= 1.1 dB TYP, Ga = 9.5 dB TYP @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz

•

MAXIMUM STABLE POWER GAIN:

MSG= 15.0 dB TYP @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

SiGe HBT TECHNOLOGY:

USH3 process, fmax = 110 GHz

M14 PACKAGE:

4-pin lead-less minimold package

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

SUPPLYING FORM

NESG3031M14

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Collector), Pin 4 (Emitter) face the perforation side of the tape

NESG3031M14-T3

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales ofﬁce.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =+25ºC)

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

UNIT

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V^CBO

VCEO

VEBO

12.0

4.3

1.5

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

150

T^j

150

Tstg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm, (t) glass epoxy PCB

California Eastern Laboratories

12 3

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