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NESG3031M14-FB-A

更新时间： 2024-01-25 16:51:37

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	101K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN, LEADLESS MINIMOLD, M14, 4 PIN

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NESG3031M14-FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.1	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.25 pF	集电极-发射极最大电压：	4.3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM	Base Number Matches：	1

NESG3031M14-FB-A 数据手册

NESG3031M14

ELECTRICAL CHARACHTERISTICS ^(TA = 25°C)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

DC Characteristics

−

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

I^CBO

I^EBO

VCB = 5 V, IE = 0 mA

100

380

−

VEB = 1 V, IC = 0 mA

VCE = 2 V, IC = 6 mA

Note 1

hFE

220

300

RF Characteristics

|S^21e|²

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

6.5

9.0

−

Insertion Power Gain

Noise Figure (1)

−

VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz,

ZS = ZSopt, ZL = ZLopt

0.95

−

Noise Figure (2)

G^a

V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz,

1.1

10.0

9.5

1.5

−

ZS = ZSopt, ZL = ZLopt

Associated Gain (1)

Associated Gain (2)

VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz,

ZS = ZSopt, ZL = ZLopt

−

VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz,

ZS = ZSopt, ZL = ZLopt

7.5

Note 2

−

12.0

−

Reverse Transfer Capacitance

Maximum Stable Power Gain

C^re

VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz

0.15

15.0

13.0

0.25

−

MSG^{Note 3}

VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

−

Gain

dB Compression Output

PO (1 dB)

VCE = 3 V, IC (set) = 20 mA,

dBm

Power

f = 5.8 GHz, ZS = ZSopt, ZL = ZLopt

−

3rd Order Intermodulation

OIP³

VCE = 3 V, IC (set) = 20 mA,

18.0

dBm

Distortion Output Intercept Point

f = 5.8 GHz, ZS = ZSopt, ZL = ZLopt

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 μs, Duty Cycle ≤ 2%

2. Collector to base capacitance when the emitter grounded

S21

3. MSG =

S12

hFE CLASSIFICATION

RANK

Marking

hFE Value

220 to 380

123

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