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NESG3032M14-A

更新时间： 2024-02-09 21:24:37

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	99K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, LEADLESSS, MINIMOLD, M14, 1208, 4 PIN

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NESG3032M14-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.25 pF
集电极-发射极最大电压：	4.3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
Base Number Matches：	1

NESG3032M14-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NESG3032M14

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

4-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M14, 1208 PACKAGE)

FEATURES

•

The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

•

Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ V^CE= 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

SiGe HBT technology (UHS3) adopted: f^max= 110 GHz

4-pin lead-less minimold (M14, 1208 package)

<R>

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Package

Quantity

Supplying Form

NESG3032M14

NESG3032M14-A

4-pin lead-less minimold 50 pcs

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Collector), Pin 4 (NC) face the

perforation side of the tape

(M14, 1208 package)

(Pb-Free)

(Non reel)

10 kpcs/reel

NESG3032M14-T3 NESG3032M14-T3-A

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Ratings

12.0

Unit

4.3

1.5

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

150

Tstg

−65 to +150

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PWB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. PU10575EJ02V0DS (2nd edition)

Date Published September 2007 NS

Printed in Japan

2005, 2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG3032M14-A-YFB	RENESAS	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR	获取价格
NESG3032M14-T3	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格
NESG3032M14-T3	RENESAS	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	获取价格
NESG3032M14-T3-A	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格
NESG3032M14-T3-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, S Band, Silicon Germanium, NPN	获取价格
NESG3032M14-T3-A	RENESAS	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain	获取价格

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