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NESG3031M05

更新时间： 2024-02-18 20:02:13
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 309K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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NESG3031M05 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SUPER MINIMOLD PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61最大集电极电流 (IC)：0.035 A
基于收集器的最大容量：0.25 pF集电极-发射极最大电压：4.3 V
配置：SINGLE最高频带：C BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F4JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON GERMANIUM
Base Number Matches：1

NESG3031M05 数据手册

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NESG3031M05  
INSERTION POWER GAIN,  
MAG, MSG vs. FREQUENCY  
INSERTION POWER GAIN,  
MAG, MSG vs. FREQUENCY  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
V
CE = 2 V  
V
CE = 1 V  
I = 20 mA  
C
I = 20 mA  
C
MSG  
MSG  
MAG  
MAG  
MAG  
MSG  
2
2
|S21e  
|
|S21e  
|
0
0
1
10  
Frequency f (GHz)  
100  
1
10  
100  
Frequency f (GHz)  
INSERTION POWER GAIN,  
MAG, MSG vs. FREQUENCY  
INSERTION POWER GAIN,  
MAG, MSG vs. FREQUENCY  
30  
25  
20  
15  
10  
5
25  
20  
15  
10  
5
V
CE = 1 V  
V
CE = 3 V  
I = 20 mA  
C
f = 2.4 GHz  
MSG  
MSG  
MAG  
MAG  
MAG  
2
|S21e  
|
MSG  
2
|S21e  
|
0
0
–5  
1
10  
Frequency f (GHz)  
100  
1
10  
Frequency f (GHz)  
100  
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
INSERTION POWER GAIN, MAG, MSG  
vs. COLLECTOR CURRENT  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
V
CE = 2 V  
VCE = 3 V  
f = 2.4 GHz  
f = 2.4 GHz  
MSG  
MAG  
MSG  
MAG  
2
2
|S21e  
|
|S21e  
|
0
0
1
10  
100  
1
10  
100  
Collector Current I  
C
(mA)  
Collector Current I (mA)  
C
Remark The graphs indicate nominal characteristics.  
5
Data Sheet PU10414EJ03V0DS  
123456789

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与NESG3031M05相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NESG3031M05-A NEC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN

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NESG3031M05-A-FB RENESAS C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN

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NESG3031M05-FB NEC RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN

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NESG3031M05-T1 NEC NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

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