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NESG3031M05

更新时间： 2024-02-24 23:48:52

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CEL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	309K
描述
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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NESG3031M05 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SUPER MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.035 A
基于收集器的最大容量：	0.25 pF	集电极-发射极最大电压：	4.3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
Base Number Matches：	1

NESG3031M05 数据手册

NESG3031M05

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C)

Parameter

DC Characteristics

Symbol

Test Conditions

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

ICBO

IEBO

VCB = 5 V, IE = 0 mA

−

100

380

−

VEB = 1 V, IC = 0 mA

VCE = 2 V, IC = 6 mA

Note 1

hFE

220

300

RF Characteristics

Insertion Power Gain

Noise Figure (1)

⏐S21e⏐²VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

6.0

8.5

0.6

−

V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz,

−

Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz,

Noise Figure (2)

−

0.95

1.1

−

1.5

−

Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz,

Noise Figure (3)

Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz,

Associated Gain (1)

Associated Gain (2)

Associated Gain (3)

−

16.0

10.0

9.5

Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz,

−

Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

V^CE= 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz,

7.5

−

Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

Note 2

Reverse Transfer Capacitance

Maximum Stable Power Gain

Cre

VCB = 2 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz

−

0.15

14.0

0.25

MSG^NoteVCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

11.0

−

V^CE= 3 V, IC (set) = 20 mA,

f = 5.8 GHz, Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

Gain 1 dB Compression Output Power

PO (1 dB)

−

13.0

18.0

−

dBm

3rd Order Intermodulation Distortion

Output Intercept Point

V^CE= 3 V, IC (set) = 20 mA,

OIP³

f = 5.8 GHz, Z^S= ZSopt, ZL = ZLopt

Notes 1. Pulse measurement: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

2. Collector to base capacitance when the emitter grounded

S21

3. MSG =

S¹²

hFE CLASSIFICATION

Rank

T1K

Marking

hFE Value

220 to 380

Data Sheet PU10414EJ03V0DS

123 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG3031M05-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN	获取价格
NESG3031M05-A-FB	RENESAS	C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN	获取价格
NESG3031M05-FB	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN	获取价格
NESG3031M05-FB-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN	获取价格
NESG3031M05-T1	NEC	NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR	获取价格
NESG3031M05-T1	CEL	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR	获取价格

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