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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.035 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.25 pF | 集电极-发射极最大电压： | 4.3 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | C BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON GERMANIUM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NESG3031M05-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN |
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| NESG3031M05-A-FB | RENESAS | C BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M05, 4 PIN |
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| NESG3031M05-FB | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN |
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| NESG3031M05-FB-A | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, C Band, Silicon Germanium, NPN |
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| NESG3031M05-T1 | NEC | NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR |
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| NESG3031M05-T1 | CEL | NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR |
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