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NESG250134-T1-AZ-FB

更新时间： 2024-02-24 20:25:06

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	654K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, 34, POWER MINIMOLD PACKAGE-3

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NESG250134-T1-AZ-FB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz	Base Number Matches：	1

NESG250134-T1-AZ-FB 数据手册

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NESG250134

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PACKAGE) (UNIT:mm)

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

+0.03

-0.06

0.41

0.42±0.06

0.47±0.06

1.5

3.0

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

Life Support Applications

These NEC products are not intended for use in life support devices, appliances, or systems where the malfunction of these products can reasonably

be expected to result in personal injury. The customers of CEL using or selling these products for use in such applications do so at their own risk and

agree to fully indemnify CEL for all damages resulting from such improper use or sale.

03/07/2005

A Business Partner of NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NESG250134-T1FB	NEC	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
NESG250134-T1FB-A	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic	获取价格
NESG250134-T1-FB-AZ	RENESAS	UHF BAND, SiGe, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-3	获取价格
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