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NE3509M04-T2B-A

更新时间： 2024-02-10 23:45:16

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	82K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN

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NE3509M04-T2B-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3509M04

RECOMMENDED SOLDERING CONDITIONS

This product should be soldered and mounted under the following recommended conditions. For soldering

methods and conditions other than those recommended below, contact your nearby sales office.

Soldering Method

Infrared Reflow

Soldering Conditions

Condition Symbol

IR260

Peak temperature (package surface temperature)

Time at peak temperature

: 260°C or below

: 10 seconds or less

: 60 seconds or less

: 120 30 seconds

: 3 times

Time at temperature of 220°C or higher

Preheating time at 120 to 180°C

Maximum number of reflow processes

Maximum chlorine content of rosin flux (% mass)

: 0.2%(Wt.) or below

Partial Heating

Peak temperature (terminal temperature)

Soldering time (per side of device)

: 350°C or below

: 3 seconds or less

: 0.2%(Wt.) or below

HS350

Maximum chlorine content of rosin flux (% mass)

Caution Do not use different soldering methods together (except for partial heating).

Data Sheet PG10608EJ02V0DS

1...5 6 789 10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE3509M14	RENESAS	获取价格	N-Channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier
NE3510M04	CEL	获取价格	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3510M04	NEC	获取价格	L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE3510M04-A	CEL	获取价格	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3510M04-A	RENESAS	获取价格	NE3510M04-A
NE3510M04-T2	CEL	获取价格	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3510M04-T2-A	CEL	获取价格	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
NE3510M04-T2-A	RENESAS	获取价格	NE3510M04-T2-A
NE3510M04-T2B-A	RENESAS	获取价格	NE3510M04-T2B-A
NE3511S02	CEL	获取价格	X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET