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NE3509M04-T2B-A

更新时间： 2024-01-24 10:11:42

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	82K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN

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NE3509M04-T2B-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3509M04

PACKAGE DIMENSIONS

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) (UNIT: mm)

2.05 0.1

(Bottom View)

(1.05)

1.25 0.1

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Drain

3. Source

4. Gate

Data Sheet PG10608EJ02V0DS

1...3 4 567 8 9 10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NE3509M14	RENESAS	N-Channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier	获取价格
NE3510M04	CEL	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NE3510M04	NEC	L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	获取价格
NE3510M04-A	CEL	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NE3510M04-A	RENESAS	NE3510M04-A	获取价格
NE3510M04-T2	CEL	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格