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NE3509M04-T2B-A

更新时间： 2024-02-25 01:03:32

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	82K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-junction FET, LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN

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NE3509M04-T2B-A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	LEAD FREE, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3509M04-T2B-A 数据手册

NE3509M04

MINIMUM NOISE FIGURE,

MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN

ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT

vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

2.0

f = 2.5 GHz, V^DS= 2 V

f = 2.5 GHz, I

= 10 mA

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

NFmin

0.2

0.0

0.2

0.0

1.0

3.5

(mA)

1.5

2.0

2.5

3.0

Drain Current I

Drain to Source Voltage VDS (V)

OUTPUT POWER, IM^3,DRAIN CURRENT

vs. INPUT POWER

OIP

= +25 dBm

out (2 tone)

IIP = +7.5 dBm

–10

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–80

IM3 (L)

IM3 (H)

f = 2.5 GHz, VDS = 2 V

= 10 mA (Non-RF)

–25

–20

–15

–10

–5

Input Power Pin (2 tone) (dBm)

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PG10608EJ02V0DS

1 2 345 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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