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NE25139T1U71

更新时间： 2024-01-01 21:39:48
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管光电二极管栅放大器
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

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NE25139T1U71 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SOT-143, 4 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：13 V
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.03 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：16 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE25139T1U71 数据手册

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NE25139  
TYPICAL COMMON SOURCE SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)  
j50  
+90  
˚
+60  
˚
+120  
˚
j25  
j100  
S21  
1.2 GHz  
j150  
j250  
+30  
˚
+150  
˚
j10  
S22  
0
.1 GHz  
+180  
˚
10  
25  
50  
100 150 250  
0˚  
.5 .10 .15 .20 .25  
S11  
.1 GHz  
–
S22  
4 GHz  
1.0  
-j250  
-j10  
S11  
4 GHz  
1.5  
2.0  
-30˚  
-150  
˚
-j150  
Coordinates in Ohms  
Frequency in GHz  
-j100  
-j25  
S21  
(VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA)  
2.5  
-90  
-60˚  
-120  
˚
-j50  
˚
NE25139  
VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA  
MAG1  
(dB)  
FREQUENCY  
S11  
S21  
S12  
S22  
K
S21  
(dB)  
(GHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
0.47  
0.51  
0.70  
1.14  
1.18  
1.49  
2.03  
2.21  
1.34  
0.32  
0.04  
0.07  
5.83  
5.7  
5.6  
5.6  
5.6  
5.6  
5.5  
3.6  
3.0  
2.9  
2.1  
1.6  
2.9  
32.8  
32.8  
27.5  
24.2  
22.6  
19.2  
16.6  
17.2  
17.8  
15.1  
14.6  
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1.2  
.99  
.99  
.99  
.98  
.97  
.97  
.96  
.95  
.94  
.92  
.91  
.88  
-3  
-7  
-9  
2.36  
2.39  
2.31  
2.23  
2.42  
2.30  
2.33  
2.23  
2.45  
2.30  
2.35  
2.37  
177  
169  
164  
160  
158  
150  
146  
142  
137  
131  
126  
124  
.001  
.001  
.002  
.002  
.003  
.003  
.004  
.005  
.005  
.006  
.006  
.006  
87  
85  
82  
82  
81  
81  
80  
79  
79  
78  
78  
78  
.97  
.98  
.98  
.97  
.99  
.96  
.99  
.96  
.99  
.97  
.98  
.99  
-1  
-3  
-3  
-6  
-6  
-8  
-9  
-9  
-13  
-11  
-15  
-13  
-13  
-16  
-19  
-22  
-25  
-29  
-29  
-35  
-35  
Note:  
1. GainCalculations:  
2
1 + | ∆ |2 - |S11 2 - |S22  
| |  
|S21  
|
K 2 - 1 ). When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used.  
∆ = S11 S22 - S21 S12  
|S21  
|
|
(
K ±  
MAG =  
MSG =  
, K =  
,
|S12  
|
|S12  
2 |S12  
S21|  
MAG = Maximum Available Gain, MSG = Maximum Stable Gain  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
PACKAGE OUTLINE 39  
(SOT-143)  
ORDERING INFORMATION  
+0.2  
2.8  
-0.3  
PART  
AVAILABILITY IDSS RANGE MARKING  
(mA)  
+0.10  
-0.05  
(LEADS 2, 3, 4)  
+0.2  
-0.1  
0.4  
1.5  
NUMBER  
NE25139  
Bulk up to 3K  
3K/Reel  
5 - 40  
5 - 40  
2
1
3
4
NE25139-T1  
2.9 ± 0.2 0.95  
1.9  
NE25139U71  
NE25139T1U71  
NE25139U72  
NE25139T1U72  
NE25139U73  
NE25139T1U73  
NE25139U74  
NE25139T1U74  
Bulk up to 3K  
3K/Reel  
5 - 15  
U71  
U71  
U72  
U72  
U73  
U73  
U74  
U74  
0.85  
5 - 15  
Bulk up to 3K  
3K/Reel  
10 - 25  
10 - 25  
20 - 35  
20 - 35  
30 - 40  
30 - 40  
PIN  
+0.10  
-0.05  
0.6  
Bulk up to 3K  
3K/Reel  
CONNECTIONS  
1. Source  
2. Drain  
Bulk up to 3K  
3K/Reel  
+0.2  
3. Gate 2  
1.1  
4. Gate 1  
0.8  
+0.10  
-0.1  
0.16  
-0.06  
5˚  
5˚  
0 to 0.1  
Note: All dimensions are typical unless otherwise specified.  
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR  
RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS  
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES • Headquarters • 4590 Patrick Henry Drive • Santa Clara, CA 95054-1817 • (408) 988-3500 • Telex 34-6393 • FAX (408) 988-0279  
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) • Internet: http://WWW.CEL.COM  
8/98  
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE  
1...4567

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