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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-143 |
| 包装说明： | SOT-143, 4 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 13 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.04 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.04 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.2 W | 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE25337 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
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| NE25337-L | RENESAS | RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE25337-N | RENESAS | RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE25339 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
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| NE25339-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
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| NE25339T1U76 | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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