5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.025 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.025 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.035 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE25339 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
获取价格 |
|
| NE25339-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
获取价格 |
|
| NE25339T1U76 | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
获取价格 |
|
| NE25339T1U76 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
获取价格 |
|
| NE25339T1U77 | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
获取价格 |
|
| NE25339T1U77 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
获取价格 |
|
NTC热敏电阻与PTC热敏电阻的应用原理及应用范围
GTO与普通晶闸管相比为什么可以自关断？为什么普通晶闸管不能呢？从GTO原理、应用范围带你了解原因及推荐型号
LF353数据手册解读：特性、应用、封装、引脚说明、电气参数及替换型号推荐
A4950资料手册解读：特性、应用、封装、引脚功能、电气参数及代换型号
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
