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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MINIMOLD, 39, 4 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.035 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE27200 | NEC |
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C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP |
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| NE27200-A | NEC |
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暂无描述 |
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| NE29200 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP |
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| NE2A100ML300A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| NE2A150ML300A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
|
| NE2A4R7MI250A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| NE300100 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | CHIP |
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| NE300157B20 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600MA I(C) | FO-93 |
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| NE3001B20 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 600MA I(C) | RFMOD |
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| NE3002-GV10A | ROHM |
获取价格 |
Near edge thermal Printhead |
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