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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.025 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.025 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.035 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-PRDB-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.2 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | RADIAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE25337-L | RENESAS | RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE25337-N | RENESAS | RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE25339 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
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| NE25339-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET |
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| NE25339T1U76 | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| NE25339T1U76 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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