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NE25139T1U71

更新时间： 2024-01-01 01:14:08

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日电电子 - NEC		晶体晶体管光电二极管栅放大器
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7页	57K
描述
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

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NE25139T1U71 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOT-143, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	13 V
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE25139T1U71 数据手册

NE25139

NONLINEAR MODEL

SCHEMATIC

PORT

Pdrain

port = 2

RES

CAP

Cg2d

R = 4.58

C = 0.15

EEFET3

FET2

PORT

port = 3

UGW=0

N=0

FILE = NE720_b.mdif

MODE = nonlinear

IND

Lg2

L = 0.40

RES

Rg2

R = 1.44

CAP

C12

C = 0.32

RES

RDS

R12

R = 1.13

CAP

Cg1d

R = 711

C = 5.64e-03

EEFET3

FET1

PORT

CAP

UGW=0

N=0

FILE = NE720_b.mdif

MODE = nonlinear

Pgate1

port = 1

IND

Lg1

L = 1.65

CDS

RES

Rg1

R = 1.52

C = 7.60e-02

CAP

Cg1s

C = 0.41

RES

R = 5.79

CAP

Cg2s

C = 0.39

IND

L = 1.78

UNITS

PORT

Parameter

Units

port = 4

capacitance

inductance

resistance

picofarads

nanohenries

ohms

MODEL RANGE

Frequency: 0.1 to 4 GHz

Bias: VDS = 5 V, Vg1s= -0.785 V, Vg2s= 0 V, ID = 10 mA

NOTES:

1. This UGW value scales the model parameters on page 1.

2. This N value is the number of gate fingers and scales the

model parameters on page 1.

1 2 3 456 7

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