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NE25139U73

更新时间: 2024-01-21 12:27:51
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 191K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, CASE 39, 4 PIN

NE25139U73 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOT-143, 4 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:13 VFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):0.03 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp):16 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

NE25139U73 数据手册

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