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NE25139T1U71

更新时间： 2024-02-02 01:11:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管光电二极管栅放大器
页数	文件大小	规格书
7页	57K
描述
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

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NE25139T1U71 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SOT-143, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	13 V
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	16 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE25139T1U71 数据手册

NE25139

TYPICAL PERFORMANCE CURVES ^(TA = 25°C)

INPUT CAPACITANCE vs.

GATE 2 TO SOURCE VOLTAGE

2.0

POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.

GATE 2 TO SOURCE VOLTAGE

DS = 5 V

VDS = 5 V

f = 1kHz

VG2S = 1 V

ID = 10 mA

GPS

f = 900 MHz

G2S = 1 V at ID = 10 mA

-15

1.0

G2S = 1 V at ID = 5 mA

-30

-45

-1.0

+1.0

-3.0

-2.0

-1.0

+1.0

+2.0

Gate 2 to Source Voltage, VG2S (V)

Note:

Gate 2 to Source Voltage, VG2S (V)

Note:

1. Initial bias conditions. VG1S set to obtain

specifieddraincurrent.

1. Initial bias conditions. VG1S set to obtain

specifieddraincurrent.

POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.

DRAIN CURRENT

DS = 5 V

G2S = 1 V

f = 900 MHz

Drain Current, ID (mA)

1 234 5 6 7

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