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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 13 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE25139T2U73 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| NE25139U71 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139U71 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| NE25139U72 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139U72 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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| NE25139U73 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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