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NDT4N65 (KDT4N65)

更新时间: 2024-11-19 18:09:23
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描述
N-Channel MOSFET

NDT4N65 (KDT4N65) 数据手册

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SMD Type  
MOSFET  
N-Channel Enhancement MOSFET  
NDT4N65 (KDT4N65)  
Ƶ Features  
72ꢇꢀꢈꢀ  
8QLWꢍ PP  
ƽ VDS (V) = 650V  
ꢅꢃꢁꢆꢈ  
ꢇꢃꢁꢆꢈ  
ꢄꢁꢈꢃ  
ꢅꢃꢁꢆ  
ꢇꢃꢁꢆ  
ꢀꢁꢂꢃ  
ꢅꢃꢁꢉ  
ꢇꢃꢁꢌ  
ƽ ID = .0 A (VGS = 10V)  
ƽ RDS(ON) ˘ 3¡ (VGS = 10V)  
ꢅꢃꢁꢀ  
ꢇꢃꢁꢀ  
ꢈꢁꢂꢃ  
ꢃꢁꢈꢃ  
D
ꢃꢁꢆꢀꢌ  
PD[  
ꢅꢃꢁꢆ  
ꢇꢃꢁꢆ  
ꢃꢁꢉꢃ  
G
ꢅꢃꢁꢆ  
ꢇꢃꢁꢆ  
ꢀ *$7(  
ꢃꢁꢄꢃ  
ꢀꢁꢂ  
ꢊꢁꢄꢃ  
S
ꢅꢃꢁꢆꢈ  
ꢇꢃꢁꢆꢈ  
ꢁ '5$,1  
ꢂ 6285&(  
Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Rating  
650  
±30  
.0  
Unit  
V
V
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
Ta=25ć  
Continuous Drain Current  
ID  
.ꢀ  
Ta=100ć  
A
Pulsed Drain Current  
Avalanche Current  
( *a)  
( *a)  
IDM  
12  
I
AR  
4.5  
58  
Ta=25ć  
W
Power Dissipation  
PD  
0.46  
210  
5.8  
Derate above 25ć  
W/ć  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
( *b)  
( *a)  
EAS  
EAR  
dv/dt  
mJ  
( *c)  
4.5  
V/ns  
Thermal Resistance.Junction- to-Ambient  
Thermal Resistance.Junction- to-Case  
Thermal Resistance.Case-to-Sink Typ  
Maximum lead Temperature for soldering purpose,  
1/8 from case for 5 seconds  
R
R
R
thJA  
thJC  
thJS  
110  
2.16  
50  
ć/W  
TL  
300  
ć
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
-55 to 150  
Notes:  
a.Repetitive Rating :Pulse width limited by maximum junction temperature  
b.IAS=4.5A,VDD=50V,R =25ȍ,Starting T =25ć  
c.ISDİ4.5A,di/dtİ200A/us,VDDİBVDSS,Starting T  
G
J
J=25ć  
1
www.kexin.com.cn  

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