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NDS9410AF011

更新时间： 2024-11-15 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1531K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS9410AF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9410AF011 数据手册

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April 2000  
NDS9410A  
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced  
·
·
·
7.3 A, 30 V.  
RDS(ON) = 28 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 42 mW @ VGS = 4.5 V  
using  
Fairchild  
Semiconductor’s  
advanced  
PowerTrench process that has been especially tailored  
to minimize the on-state resistance and yet maintain  
superior switching performance.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss and resistance to  
transients are needed.  
High power and current handling capability in a  
widely used surface mount package.  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
7.3  
20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
1.2  
PD  
W
(Note 1c)  
1.0  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RqJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NDS9410A  
NDS9410A  
13’’  
12mm  
2500 units  
NDS9410A Rev B(W)  
Ó 2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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