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NDS8958

更新时间： 2024-11-14 22:45:23
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 355K
描述
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS8958 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.35
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS8958 数据手册

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July 1996  
NDS8958  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance  
and provide superior switching performance. These devices  
are particularly suited for low voltage applications such as  
notebook computer power management and other battery  
powered circuits where fast switching, low in-line power loss,  
and resistance to transients are needed.  
N-Channel 5.3A, 30V, RDS(ON)=0.035W @ VGS=10V.  
P-Channel -4.0A, -30V, RDS(ON)=0.065W @ VGS=-10V.  
High density cell design or extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
20  
5.3  
20  
-30  
-20  
-4  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
(Note 1a)  
-15  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
NDS8958 Rev. C  
1234567...13

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NDS8958 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958/S62Z TI

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 		5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
NDS8958D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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 		Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8961D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8961S62Z FAIRCHILD

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