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NDS8961D84Z

更新时间： 2024-11-15 19:47:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 332K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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NDS8961D84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.82
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.1 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS8961D84Z 数据手册

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June 1997  
NDS8961  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance.These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as DC motor control  
and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power  
loss, and resistance to transients are needed.  
3.1 A, 30 V. RDS(ON) = 0.1 W @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.15 W @ VGS = 4.5 V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
____________________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Units  
NDS8961  
30  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
±20  
VGSS  
ID  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
3.1  
10  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
RqJC  
(Note 1)  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8961 Rev.D  
1234567...10

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与NDS8961D84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8961S62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
NDS8963 NSC

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 		Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9400 FAIRCHILD

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 		Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9400 TI

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 		2.5A, 20V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9400/D84Z TI

获取价格

 		2.5A, 20V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9400/L86Z TI

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 		2.5A, 20V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9400A FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9400A TI

获取价格

 		3400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9400A/D84Z TI

获取价格

 		3400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9400A/L86Z TI

获取价格

 		3400mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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