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NDS9400/L86Z

更新时间: 2024-09-27 21:07:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 211K
描述
2.5A, 20V, 0.25ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

NDS9400/L86Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.74
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):2.5 A
最大漏源导通电阻:0.25 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NDS9400/L86Z 数据手册

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