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NDS8958/L99Z

更新时间: 2024-11-15 14:54:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 257K
描述
5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

NDS8958/L99Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (ID):5.3 A
最大漏源导通电阻:0.035 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL功耗环境最大值:2 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NDS8958/L99Z 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS8958/S62Z TI

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5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958_NL FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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