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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NDS8936_NL
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NDS8936_NL

更新时间： 2024-11-24 13:11:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 331K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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NDS8936_NL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A最大漏极电流 (ID)：5.3 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS8936_NL 数据手册

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June 1997  
NDS8936  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance and provide  
superior switching performance. These devices are particularly  
suited for low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
5.3A, 30V. RDS(ON) = 0.035W @ VGS = 10V  
RDS(ON) = 0.05W @ VGS = 4.5V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS8936  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 5.3  
± 20  
2
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
Power Dissipation for Dual Operation  
W
PD  
Power Dissipation for Single Operation (Note 1a)  
1.6  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS8936 Rev. G  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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