NDS8947

更新时间： 2024-09-26 22:45:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
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10页	332K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS8947 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NDS8947 数据手册

March 1996

NDS8947

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

-4A, -30V. R_DS(ON)= 0.065W @ V_GS= -10V

R_DS(ON)= 0.1W @ V_GS= -4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

These P-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell

density, DMOS technology. This very high density process is

especially tailored to minimize on-state resistance and provide

superior switching performance. These devices are particularly

suited for low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits where

fast switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

Dual MOSFET in surface mount package.

________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

NDS8947

-30

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-4

-15

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

P_D

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

NDS8947.SAM

12 3 4 5 6 7...10

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NDS8947 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS4935BZ	FAIRCHILD	类似代替	Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

与NDS8947相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NDS8947/D84Z	TI	获取价格	4000mA, 30V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8947/L86Z	TI	获取价格	4000mA, 30V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8947/L99Z	TI	获取价格	4000mA, 30V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8947/S62Z	TI	获取价格	4000mA, 30V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS8958/L86Z	TI	获取价格	5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958/L99Z	TI	获取价格	5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958/S62Z	TI	获取价格	5300mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS8958_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
NDS8958D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe

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