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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 42 A | 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDB710AE | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDB710AEL/L86Z | TI |
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42A, 100V, 0.038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB710AL | TI |
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42A, 100V, 0.038ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB710B | FAIRCHILD |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDB710B/L86Z | TI |
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40A, 100V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB710BE | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDB710BE/L86Z | TI |
获取价格 |
40A, 100V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB710BEL | TI |
获取价格 |
40A, 100V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
|
| NDB710BEL/L86Z | TI |
获取价格 |
40A, 100V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| NDB710BEL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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