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NCEP40PT13D

更新时间： 2024-03-03 10:08:39

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新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	624K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品。P沟道增强型功率MOSFET在降低系统设计复杂度上拥有天然的优势，独特的栅极负压开启机制，使得P沟道功率

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NCEP40PT13D 数据手册

NCEP40PT13D

http://www.ncepower.com

Typical Electrical and Thermal Characteristics

-Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 1 Output Characteristics

Figure 4 Rdson-JunctionTemperature

-Vgs Gate-Source Voltage (V)

Qg Gate Charge (nC)

Figure 2 Transfer Characteristics

Figure 5 Gate Charge

I_D- Drain Current (A)

Vsd Source-Drain Voltage (V)

Figure 3 Rdson- Drain Current

Figure 6 Source- Drain Diode Forward

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page3

V1.0

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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