Datasheet > NCEP045N10AG

NCEP045N10AG

更新时间： 2024-04-09 18:59:17

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	323K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCEP045N10AG 数据手册

NCEP045N10AG

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 Power De-rating

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature (℃)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Current De-rating

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page4

V1.0

http://www.ncepower.com

1 2 345 6

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCEP045N10D	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP045N10F	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP045N10G	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP045N10M	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP045N85	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP045N85G	NCEPOWER	新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通	获取价格