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NCEP035N12

更新时间: 2024-10-29 17:00:55
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新洁能 - NCEPOWER 栅极
页数 文件大小 规格书
7页 346K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻(RDS(on))与超低栅极电荷(Qg)的特点,结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

NCEP035N12 数据手册

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NCEP035N12,NCEP035N12D  
Typical Electrical and Thermal Characteristics  
VGS=10V  
ID=95 A  
Vds Drain-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 1 Output Characteristics  
Figure 4 Rdson-Junction Temperature  
VDS=5V  
VDS=50V  
ID=95A  
Vgs Gate-Source Voltage (V)  
Qg Gate Charge (nC)  
Figure 2 Transfer Characteristics  
Figure 5 Gate Charge  
VGS=10V  
ID- Drain Current (A)  
Vsd Source-Drain Voltage (V)  
Figure 3 Rdson- Drain Current  
Figure 6 Source- Drain Diode Forward  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page3  
V2.0  
http://www.ncepower.com  

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