5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NCEP039N10MD
NCEP039N10MD PDF预览

NCEP039N10MD

更新时间： 2024-11-24 15:17:27
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
9页 1515K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

阅读下载

中文翻译

获取价格

NCEP039N10MD 数据手册

 浏览型号NCEP039N10MD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NCEP039N10MD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NCEP039N10MD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NCEP039N10MD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NCEP039N10MD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NCEP039N10MD的Datasheet PDF文件第7页 
Pb Free Product  
NCEP039N10M, NCEP039N10MD  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
General Features  
The series of devices uses Super Trench II technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
● VDS =100V,ID =135A  
RDS(ON)=3.65mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V  
RDS(ON)=3.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
● Pb-free Mold Compound  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
TO-220  
TO-263  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
NCEP039N10M  
NCEP039N10MD  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP039N10M  
NCEP039N10MD  
TO-220  
-
-
-
-
-
-
TO-263  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
100  
±20  
V
V
VGS  
135  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
108  
A
540  
A
Maximum Power Dissipation  
220  
W
PD  
Derating factor  
1.47  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
730  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
0.68  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
http://www.ncepower.com  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与NCEP039N10MD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP040N10 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N10GU NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N10M NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N12 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N12D NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N85 NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N85D NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N85G NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N85GU NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超
NCEP040N85M NCEPOWER

获取价格

 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超

与NCEP039N10MD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证