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NCEP01T18VD

更新时间： 2024-03-03 10:11:30

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	396K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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NCEP01T18VD 数据手册

http://www.ncepower.com

NCEP01T18VD

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 7 Capacitance vs Vds

Figure 9 Power De-rating

Vds Drain-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 8 Safe Operation Area

Figure 10 Current De-rating

Square Wave Pluse Duration(sec)

Figure 11 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 5

V1.0

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCEP01T25LL	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以	获取价格
NCEP01T25T	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以	获取价格
NCEP01T30T	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以	获取价格
NCEP020N10LL	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
NCEP020N30BQU	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超	获取价格
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