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NCEP020N60AGU

更新时间： 2024-11-19 15:18:35
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 685K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP020N60AGU  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
General Features  
● VDS =60V,ID =180A  
Description  
The NCEP020N60AGU uses Super Trench II technology that  
is uniquely optimized to provide the most efficient high  
frequency switching performance. Both conduction and  
switching power losses are minimized due to an extremely low  
combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for  
high-frequency switching and synchronous rectification.  
RDS(ON)=1.8 mΩ (typical) @ VGS=10V  
RDS(ON)=2.5 mΩ (typical) @ VGS=4.5V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 150 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
DFN 5X6  
Schematic Diagram  
Top View  
Bottom View  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
P020N60AGU  
NCEP020N60AGU  
DFN5X6-8L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
±20  
V
V
VGS  
Drain Current-Continuous (Silicon Limited)  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current (Package Limited)  
Maximum Power Dissipation  
180  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
126  
A
400  
A
205  
W
PD  
Derating factor  
1.64  
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 1)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
871  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case  
RθJC  
RθJA  
0.61  
50  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP020N60GU NCEPOWER

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