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NCEP01T18VD

更新时间： 2024-03-03 10:11:30
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER /
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7页 396K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以技术水平和卓越的质量管理保证了出色的产品性能和可靠性，在降低系统设计难度的同时，提供了性价比。广泛应用于开

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http://www.ncepower.com  
Thermal Characteristic  
NCEP01T18VD  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
0.5  
℃/W  
Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
On Characteristics (Note 3)  
Gate Threshold Voltage  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Dynamic Characteristics (Note4)  
Input Capacitance  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=250μA  
VDS=100V,VGS=0V  
VGS=±20V,VDS=0V  
100  
-
1
V
-
-
-
-
μA  
nA  
IGSS  
±100  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gFS  
VDS=VGS,ID=250μA  
VGS=10V, ID=100A  
VDS=10V,ID=50A  
2.5  
-
3.5  
2.3  
-
4.5  
2.6  
-
V
mΩ  
S
90  
Clss  
Coss  
Crss  
-
-
-
11500  
1480  
75  
-
-
-
PF  
PF  
PF  
VDS=50V,VGS=0V,  
Output Capacitance  
F=1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 4)  
Turn-on Delay Time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
-
-
-
-
-
-
-
25  
75  
-
-
-
-
nS  
nS  
nS  
nS  
nC  
nC  
nC  
Turn-on Rise Time  
VDD=50V,ID=100A  
VGS=10V,RG=1.6Ω  
Turn-Off Delay Time  
89  
Turn-Off Fall Time  
29  
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
158  
52  
VDS=50V,ID=100A,  
Gate-Source Charge  
VGS=10V  
Gate-Drain Charge  
29  
Drain-Source Diode Characteristics  
Diode Forward Voltage (Note 3)  
Diode Forward Current (Note 2)  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
VSD  
IS  
VGS=0V,IS=189A  
-
-
-
-
1.2  
V
A
-
189  
trr  
TJ = 25°C, IF = IS  
di/dt = 100A/μs(Note3)  
75  
nS  
nC  
Qrr  
185  
Notes:  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.  
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.  
4. Guaranteed by design, not subject to production  
5. EAS condition : Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 2  
V1.0  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP01T25LL NCEPOWER

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 		新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以
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