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NCEP023N85M

更新时间： 2024-11-19 17:01:47
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 939K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超低的导通电阻（RDS(on)）与超低栅极电荷（Qg）的特点，结合先进轻巧紧凑的封装进一步提高了系统的功率密

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NCEP023N85M, NCEP023N85MD  
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET  
Description  
The series of devices uses Super Trench II technology that is  
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency  
switching performance. Both conduction and switching power  
losses are minimized due to an extremely low combination of  
RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching  
and synchronous rectification.  
General Features  
● VDS =85V,ID =260A  
RDS(ON)=2.0mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V  
RDS(ON)=1.8mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V  
● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)  
● Very low on-resistance RDS(on)  
● 175 °C operating temperature  
● Pb-free lead plating  
Application  
● DC/DC Converter  
100% UIS TESTED!  
●Ideal for high-frequency switching and synchronous  
rectification  
100% ΔVds TESTED!  
TO-220  
TO-263  
Schematic Diagram  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
NCEP023N85M  
NCEP023N85MD  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCEP023N85M  
NCEP023N85MD  
TO-220  
-
-
-
-
-
-
TO-263  
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
85  
±20  
V
V
VGS  
260  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
195  
A
1000  
300  
A
Maximum Power Dissipation  
W
PD  
Derating factor  
2
W/℃  
mJ  
℃
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
2880  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V2.0  
http://www.ncepower.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCEP023N85T NCEPOWER

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