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NCE30P25S

更新时间: 2024-04-09 18:59:45
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新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
8页 700K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE30P25S 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE30P25S  
Vgs Gate-Source Voltage (V)  
TJ-Junction Temperature()  
Figure 7 Transfer Characteristics  
Figure 8 Drain-Source On-Resistance  
Vds Drain-Source Voltage (V)  
Vgs Gate-Source Voltage (V)  
Figure 10 Capacitance vs Vds  
Figure 9 Rdson vs Vgs  
Vsd Source-Drain Voltage (V)  
Qg Gate Charge (nC)  
Figure 12 Source- Drain Diode Forward  
Figure 11 Gate Charge  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 4  
v5.0  

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