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NCE30P25S

更新时间： 2024-04-09 18:59:45

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
8页	700K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P25S 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30P25S

Vgs Gate-Source Voltage (V)

T_J-Junction Temperature(℃)

Figure 7 Transfer Characteristics

Figure 8 Drain-Source On-Resistance

Vds Drain-Source Voltage (V)

Vgs Gate-Source Voltage (V)

Figure 10 Capacitance vs Vds

Figure 9 Rdson vs Vgs

Vsd Source-Drain Voltage (V)

Qg Gate Charge (nC)

Figure 12 Source- Drain Diode Forward

Figure 11 Gate Charge

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 4

v5.0

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