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NCE30P28Q

更新时间： 2024-11-21 17:00:51

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
8页	739K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P28Q 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30P28Q

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -28A

Description

The NCE30P28Q uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), This device is suitable for use as a load switch or

power management.

R_DS(ON)<9mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)<17mΩ @ V_GS=-4.5V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

●Power management

●Load switch

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

DFN 3.3X3.3

Top View

Bottom View

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE30P28Q

DFN3.3X3.3-8L

Ø330mm

12mm

5000 units

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

-30

±20

-28

-80

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

VGS

I_D

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_DM

TC=25°C

TA=25°C

℃

Maximum Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

R_θJA

3.13

62.5

℃/W

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient^{(Note 2)}

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Body Leakage Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

V_DS=-30V,V_GS=0V

V_GS=±20V,V_DS=0V

-30

-1

μA

I_GSS

±100

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V7.0

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