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NCE30PD08S

更新时间： 2024-03-03 10:11:18

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	343K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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NCE30PD08S 数据手册

NCE30PD08S

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30PD08S uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with

gate voltages as low as 4.5V.

Schematic diagram

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -8A

R_DS(ON)< 35mΩ @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON)< 20mΩ @ V_GS=-10V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin assignment

Application

● Battery Switch

● Load switch

● Power management

SOP-8 top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

12mm

Quantity

4000 units

30PD08S

NCE30PD08S

SOP-8

Ø330mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

V^GS

±20

-8

-5.7

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_D(100℃)

I_DM

-32

Maximum Power Dissipation

3.1

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V2.0

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