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NCE30P55L PDF预览

NCE30P55L

更新时间： 2024-11-19 15:19:19
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
6页 314K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P55L 数据手册

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NCE30P55L  
http://www.ncepower.com  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE30P55L uses advanced trench technology and design  
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is  
well suited for high current load applications.  
General Features  
● VDS =-30V,ID =-55A  
Schematic diagram  
RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=-10V  
RDS(ON) <19mΩ @ VGS=-4.5V  
● High density cell design for ultra low Rdson  
● Fully characterized avalanche voltage and current  
● Excellent package for good heat dissipation  
● Pb free terminal plating  
● RoHS compliant  
● Halogen free  
Application  
Marking and pin assignment  
● High side switch for full bridge converter  
● DC/DC converter for LCD display  
100% UIS TESTED!  
100% ∆Vds TESTED!  
TO-251S-3L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCE30P55L  
NCE30P55L  
TO-251S  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
-55  
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
ID (100℃)  
IDM  
-38.9  
-200  
A
A
Maximum Power Dissipation  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
110  
W
PD  
EAS  
450  
mJ  
W/℃  
℃
Derating factor  
0.73  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to- Case (Note 2)  
RθJC  
1.34  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page1  
V3.0  
123456

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与NCE30P55L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE30P60G NCEPOWER

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 		新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
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