Datasheet > NCE30P50G

NCE30P50G

更新时间： 2024-11-21 15:18:59

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	328K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE30P50G 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30P50G

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

General Features

The NCE30P50G uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

● V_DS=-30V,I_D=-50A

R_DS(ON)< 7mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)< 11mΩ @ V_GS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Very low on-resistance R_DS(on)

Application

●

Battery and loading switching

● Ideal for high-frequency switching and synchronous ● Good stability and uniformity with high E_AS

rectification

● 150 °C operating temperature

● Pb-free lead plating

100% UIS TESTED!

100% ∆Vds TESTED!

DFN 5X6

Top View

Bottom View

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE30P50G

DFN 5x6-8L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

Pulsed Drain Current

V^DS

V^GS

I_D

±20

-50

-200

I_DM

P_D

Maximum Power Dissipation

Derating factor

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

0. 52

W/℃

℃

E_AS

900

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case^{(Note 2)}

R_θJC

1.92

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V3.0

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与NCE30P50G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE30P55K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE30P55L	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE30P60G	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE30P85K	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE30PD08S	NCEPOWER	获取价格	????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET
NCE30TD120UT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE30TD60B	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE30TD60BD	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE30TD60BF	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje
NCE30TD60BP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje