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NCE30P85K

更新时间： 2024-11-19 17:01:43
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 749K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P85K 数据手册

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http://www.ncepower.com  
NCE30P85K  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE30P85K uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This  
device is well suited for high current load applications.  
General Features  
● VDS = -30V,ID = -85A  
Schematic diagram  
RDS(ON) =5.3mΩ @ VGS= -10V (Typ)  
RDS(ON) =7.6mΩ @ VGS= -4.5V (Typ)  
● High density cell design for ultra low Rdson  
● Fully characterized avalanche voltage and current  
● Good stability and uniformity with high EAS  
● Excellent package for good heat dissipation  
Application  
Marking and pin assignment  
●
●
●
Power switching application  
Hard switched and high frequency circuits  
Uninterruptible power supply  
100% UIS TESTED!  
100% ΔVds TESTED!  
TO-252-2L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NCE30P85K  
NCE30P85K  
TO-252-2L  
-
-
-
Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
-30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
±20  
VGS  
-85  
-60  
A
ID  
ID (100℃)  
IDM  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
A
-340  
A
Maximum Power Dissipation  
130  
W
mJ  
℃
PD  
Single pulse avalanche energy (Note 5)  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
EAS  
912  
-55 To 175  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2)  
RθJC  
1.15  
℃/W  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
V1.0  
1234567

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与NCE30P85K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE30PD08S NCEPOWER

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 		????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET
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