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NCE30P30G

更新时间： 2024-11-21 15:19:27

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	358K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P30G 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE30P30G

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30P30G uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -30A

R_DS(ON)< 10mΩ @ V_GS=-10V

Schematic diagram

R_DS(ON)< 15mΩ @ V_GS=-4.5V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

● PWM applications

● Load switch

● Uninterruptible power supply

Top View

Bottom View

100% UIS TESTED!

100% ∆Vds TESTED!

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE30P30G

DFN5X6-8L

Ø330mm

12mm

2500 units

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^DS

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

V^GS

-30

I_D

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

-160

I_DM

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Case ^{(Note 2)}

R_θJC

1.56

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

V 1.0

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