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NCE30P55K

更新时间： 2024-09-19 17:01:31

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
6页	577K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE30P55K 数据手册

NCE30P55K

http://www.ncepower.com

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30P55K uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge .This

device is well suited for high current load applications.

General Features

● V_DS=-30V,I_D=-55A

Schematic diagram

R_DS(ON)<8.0mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)<17mΩ @ V_GS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

● Pb free terminal plating

● RoHS compliant

● Halogen free

Marking and pin assignment

Application

● High side switch for full bridge converter

● DC/DC converter for LCD display

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-252-2L top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

NCE30P55K

TO-252-2L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

VGS

-55

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_D(100℃)

I_DM

-38.9

-200

Maximum Power Dissipation

110

P_D

Single pulse avalanche energy ^{(Note 5)}

Derating factor

E_AS

450

W/℃

℃

0.73

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 175

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to- Case ^{(Note 2)}

R_θJC

1.34

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V2.0

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