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NCE25TD120VD

更新时间： 2024-03-03 10:10:53

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新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1385K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

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NCE25TD120VD 数据手册

Pb Free Product

NCE25TD120VD

Thermal Characteristic

Symbol

Parameter

Value

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to case for IGBT

Thermal Resistance, Junction to case for Diode

Thermal Resistance, Junction to Ambient

0.41

0.78

Electrical Characteristics (T_C=25°C unless otherwise noted)

Value

Symbol

Parameter

Conditions

Units

Min.

Typ.

Max.

Static Characteristics

V_(BR)CES

I_CES

I_GES(F)

I_GES(R)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Emitter Leakage Current

Gate to Emitter Forward Leakage

Gate to Emitter Reverse Leakage

V_GE=0V,I_CE=1mA

V_GE=0V,V_CE=1200V

V_GE=+30V,V_CE=0V

V_GE=-30V,V_CE=0V

1200

100

200

1.95

T_J=25°C

1.70

1.95

V_GE=15V,

I_C=25A

V_CE(sat)

V_GE(th)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Gate Threshold Voltage

T_J=175°C

I_C=1mA, V_CE=V_GE

4.5

6.0

Dynamic Characteristics

C_ies

C_oes

C_res

Q_g

Input Capacitance

2674

V_CE=30V,V_GE=0V,

f=1MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

146

V_CC=960V, I_C=25A

V_GE=15V

Q_ge

Q_gc

Gate to Emitter Charge

Gate to Collector Charge

Switching Characteristics

t_d(ON)Turn-on Delay Time

t_r

t_d(OFF)

t_f

Rise Time

Turn-Off Delay Time

Fall Time

170

V_CE=600V,I_C=25A

V_GE=0/15V, R_g=5Ω

Inductive Load

E_on

E_off

E_ts

Turn-On Switching Loss

Turn-Off Switching Loss

Total Switching Loss

Turn-On Switching Loss

Turn-Off Switching Loss

Total Switching Loss

1.3

0.7

2.0

1.6

0.9

2.5

E_on

E_off

E_ts

V_CE=600V,I_C=25A

V_GE=0/15V, R_g=5Ω

Tj=175°C

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

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