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NCE25TD120VD

更新时间： 2024-03-03 10:10:53

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新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1385K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

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NCE25TD120VD 数据手册

Pb Free Product

NCE25TD120VD

Typical Electrical and Thermal Characteristics

Figure 7 Forward Characteristics

Figure 8 V_Fvs. Temperature

I_F=50A

25A

150°C

25°C

12.5A

V_F, Forward Voltage (V)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 9 Switching Energy vs. Temperature

Figure 10 Forward Bias Safe Operating Area

Eoff

Eon

Ets

not for linear use

V_CE=600V

I_C=25A

V_G=15V

R_G=8Ω

V_CE, Collector-Emitter Voltage (V)

T_J, Junction Temperature (°C)

Figure 11 Gate-Emitter Threshold Voltage as a

Function of Junction Temperature

Figure 12 Typical Collector-Emitter Saturation

Voltage as a function of Collector Current

V_GE=15V

I_C=1mA

T_J, Junction Temperature (°C)

I_C, Collector Current (A)

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NCE25TD120VT	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构	获取价格
NCE25TD120VTP	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构	获取价格
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NCE25TD135LT	NCEPOWER	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构	获取价格