Datasheet > NCE25TD120VD

NCE25TD120VD

更新时间： 2024-03-03 10:10:53

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	1385K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化，新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡，能够大幅度提高系统效率。同

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NCE25TD120VD 数据手册

Pb Free Product

NCE25TD120VD

Test Circuit

1) Gate Charge Test Circuit

2) Switch Time Test Circuit

Switching characteristics

1) definition of switching times

2) definition of switching losses

3) Definition of diode switching characteristics

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page

V1.0

http://www.ncepower.com

1 2 345 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NCE25TD120VT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE25TD120VTP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE25TD120W	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE25TD120WT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE25TD135LP	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE25TD135LT	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构
NCE3	CIT	获取价格	CIT SWITCH
NCE3007S	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE3008M	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE3008N	NCEPOWER	获取价格	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE