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NCE15TD135LT

更新时间: 2024-03-03 10:10:44
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新洁能 - NCEPOWER 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 355K
描述
新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构优化,新洁能提供高能效的IGBT产品。在导通压降与开关损耗之间做出了良好的权衡,能够大幅度提高系统效率。同

NCE15TD135LT 数据手册

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PbFreeProduct  
NCE15TD135LT  
Typical Electrical and Thermal Characteristics  
Figure 1 Output Characteristics  
Figure 2 Transfer Characteristics  
150  
200  
150  
100  
50  
VCE=20V  
120  
90  
60  
30  
0
25°C  
150°C  
0
0
1
2
3
4
5
4
0
6
7
8
9
10  
11  
VCE, Collector-Emitter Voltage (V)  
VGE, Gate-Emitter Voltage (V)  
Figure 3 VCE(sat) vs. Case Temperature  
Figure 4 Saturation Voltage vs. VGE  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
3.5  
3
VGE=15V  
IC=40A  
2.5  
2
30A  
IC=20A  
7.5A  
15A  
1.5  
1
IC=10A  
0.5  
0
4
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
8
12  
16  
20  
24  
TJ, Junction Temperature (°C)  
VGE, Gate-Emitter Voltage (V)  
Figure 5 Capacitance Characteristics  
Figure 6 Gate Charge Wave Form  
10000  
1000  
100  
10  
15  
12  
9
Cies  
VCC=600V  
Coes  
6
Cres  
3
1
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
20  
40  
60  
80  
100  
VCE, Collector-Emitter Voltage (V)  
QG, Total Gate Charge (nC)  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page  
V1.0  
4
http://www.ncepower.com  

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